Mecnote : Definisi RAM (Random Access Memory)

Cari Model Mac

Thursday, 15 February 2018

Definisi RAM (Random Access Memory)

RAM (Random Access Memory) adalah sejenis penyimpanan komputer yang kandungannya boleh diakses dalam masa tetap tanpa mengira di mana data berada di dalam memori. Ini adalah berbeza dengan peranti memori berurutan, seperti pita magnetik, cakera & gendang, di mana pergerakan mekanikal media penyimpanan memaksa komputer untuk mengakses data secara berurutan.


Syarat RAM:
1. Speed
2. Megahertz
3. PC Rating
4. CAS Latency

Ketahui Bahagian Komponen RAM:
1. PCB (Printed Circuit Board)
2. Contact Point
3. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
4. Chip Packaging
5. DIP (Dual In-Line Package)
6. TSOP (Thin Small Outline Package)
7. CSP (Chip Scale Package)

Modul Evolusi:
1. SIMM
2. DIMM
3. SODIMM
4. RIMM / SORIMM


Sejarah Pembangunan RAM:


1. RAM

RAM dicipta oleh Robert Dennard dan dibuat secara besar-besaran oleh Intel pada tahun 1968, lama sebelum PC dicipta oleh IBM pada tahun 1981. Ini adalah di mana pembangunan RAM bermula. Pada permulaan penciptaan, RAM memerlukan voltan 5.0 volt untuk dijalankan pada frekuensi 4.77 MHz, dengan masa akses sekitar 200ns (1ns = 10-9 saat).


2. DRAM
Pada tahun 1970, IBM mencipta memori yang dipanggil DRAM. DRAM mempunyai frekuensi kerja yang berbeza antara 4.77MHz hingga 40MHz.

3. FP RAM

DRAM Mod Halaman Pantas atau disingkat dengan FPM DRAM ditemui sekitar tahun 1987. Jenis ingatan ini secara langsung menguasai pemasaran ingatan, dan orang sering menyebut jenis memori "DRAM" ini sahaja, tanpa menyebut nama FPM. Jenis memori ini berfungsi seperti indeks atau jadual kandungan. Makna Halaman itu sendiri adalah sebahagian daripada memori yang terkandung dalam satu baris alamat.


4. EDO RAM
Pada tahun 1995, mencipta memori jenis (EDO DRAM) yang merupakan penghalusan FPM. Memori EDO dapat memendekakan kitaran bacaannya sehingga dapat meningkatkan kinerjanya sekitar 20 persen. EDO mempunyai masa akses yang agak berubah-ubah, iaitu sekitar 70ns hingga 50ns dan berfungsi pada frekuensi 33MHz sehingga 75MHz. Walaupun EDO adalah penghalusan FPM, kedua-duanya tidak boleh dipasang serentak, disebabkan oleh perbezaan kemampuan.


5. PC66 SDRAM
Dalam peralihan dari tahun 1996 hingga 1997, Kingston mencipta modul memori yang boleh berfungsi pada kelajuan / segerak bas yang sama (segerak) dengan frekuensi yang bertindak pada pemproses. Itulah sebabnya Kingston dinamakan memori jenis ini sebagai Memory Access Random Random Synchronous (SDRAM). SDRAM kemudiannya lebih dikenali sebagai PC66 kerana ia berfungsi pada frekuensi bas 66MHz. Tidak seperti jenis memori sebelumnya yang memerlukan voltan kerja yang cukup tinggi, SDRAM memerlukan hanya voltan 3.3 volt dan mempunyai masa akses 10ns.


6. PC100 SDRAM
Sepanjang setahun selepas PC66 dihasilkan dan digunakan secara beramai-ramai, Intel mencipta jenis memori jenis baru yang merupakan perkembangan memori PC66. Piawaian baru ini dibuat oleh Intel untuk mengimbangi sistem i440BX chipset dengan sistem Slot 1 yang juga dibuat oleh Intel. Chipset ini direka untuk bekerja pada kekerapan bas 100MHz. Chipset ini pada masa ini dibangunkan oleh Intel untuk dipasangkan dengan pemproses Intel Pentium II terkini yang berfungsi pada 100MHz bas. Oleh kerana bas sistem berfungsi pada kekerapan 100MHz manakala Intel masih mahu menggunakan sistem memori SDRAM, memori SDRAM dikembangkan yang boleh berfungsi pada frekuensi bas 100MHz. Seperti PC66 pendahulunya, memori SDRAM kemudian dikenali sebagai PC100.


7. DR DRAM
Pada tahun 1999, Rambus mencipta sistem memori dengan seni bina baru dan revolusioner, sama sekali berbeza dengan seni bina memori SDRAM. Oleh Rambus, memori ini dinamakan Memory Rambus Direct Random Random Access. Menggunakan hanya 2.5 volt, RDRAM berfungsi pada sistem bas 800MHz melalui sistem bas yang dikenali sebagai Direct Rambus Channel, yang mampu mengalir data pada 1.6GB / sec! (1GB = 1000MB).


8. RDRAM PC800
Rambus juga membangunkan satu lagi jenis memori dengan keupayaan yang sama seperti DRDRAM. Perbezaan hanya terletak pada tekanan kerja yang diperlukan. Jika DRDRAM memerlukan voltan 2.5 volt, maka PC800 RDRAM berfungsi pada voltan sebanyak 3.3 volt. Nasib memori RDRAM hampir sama dengan DRDRAM, kurang wajar, jika tidak digunakan oleh Intel.
Intel telah berjaya membuat pemproses berkelajuan tinggi memerlukan sistem memori yang dapat dikendalikan dan berfungsi dengan baik bersama-sama. Memori jenis SDRAM tidak lagi bernilai. Intel memerlukan lebih daripada itu.


9. SDRAM PC133 
Sebagai tambahan kepada perkembangan memori PCRDRAM pada tahun 1999, memori SDRAM belum ditinggalkan, bahkan oleh Viking, bahkan meningkatkan keupayaannya. Sesuai dengan namanya, memori SDRAM PC133 ini bekerja pada bus berfrekuensi 133MHz dengan access time sebesar 7,5ns dan mampu mengalirkan data sebesar 1,06GB per detiknya. Walaupun PC133 dibangunkan untuk bekerja pada kekerapan bas 133MHz, namun memori ini juga mampu berjalan pada kekerapan bas 100MHz walaupun tdk sebaik kemampuan yang dimiliki oleh PC100 pada frekuensi tersebut.


10. SDRAM PC150

Perkembangan memori SDRAM semakin menjadi - jadi selepas Mushkin, pada tahun 2000 berjaya membangunkan cip memori yang mampu bekerja pada kekerapan bas 150MHz, walaupun sebenarnya belum ada standard rasmi mengenai frekunsi bas sistem atau chipset sebesar ini. Masih dengan voltan yang bekerja sebanyak 3.3 volt, memori PC150 mempunyai masa akses 7ns dan dapat mengalirkan data 1.28GB sesaat.
Memori ini sengaja dicipta untuk keperluan overclocker, namun pengguna aplikasi permainan dan grafik 3 dimensi, desktop publishing, serta komputer pelayan dapat mengambil keuntungan dengan adanya memori PC150.


11. DDR SDRAM
Masih pada tahun 2000, Crucial berjaya mengembangkan kapasiti memori SDRAM menjadi dua kali ganda. Sekiranya SDRAM biasa hanya dapat melaksanakan arahan sekali setiap kitaran jam pada frekuensi bas, maka DDR SDRAM mampu menjalankan dua arahan dalam masa yang sama. Teknik yang digunakan adalah menggunakan gelombang kekerapan sepenuhnya. Jika pada SDRAM biasa hanya melakukan arahan pada gelombang positif sahaja, maka DDR SDRAM melaksanakan arahan kedua-dua gelombang positif dan negatif. Oleh itu, memori ini dipanggil DDR SDRAM yang pendek untuk Memori Rawak Dinamik Random Access Rate Double Data.


12. DDR RAM
Pada tahun 1999 dua syarikat besar INTEL dan mikropemproses AMD bersaing rapat dalam meningkatkan kelajuan jam CPU. Tetapi menghadapi rintangan, kerana ketika meningkatkan bus memori menjadi 133 Memori keperluan (RAM) akan lebih besar. Dan untuk menyelesaikan masalah ini maka dibuat DDR RAM (kadar pemindahan data dua kali) yang pada asalnya digunakan pada kad grafik, kerana sekarang anda hanya boleh menggunakan 32 MB untuk mendapatkan keupayaan 64 MB. AMD adalah syarikat pertama yang menggunakan DDR RAM pada motherboardnya.


13. RAM DDR2
Ketika memori jenis DDR (Double Data Rate) dirasakan mulai melambat dengan semakin cepatnya prestasi pemproses dan pemproses grafik, kehadiran memori DDR2 merupakan kemajuan logik dalam teknologi memori merujuk pada penambahan kelajuan serta jangkaan semakin lebar jalur akses segi tiga pemproses, memori, dan antara muka grafik yg hadir dengan kelajuan pengkomputeran dua kali ganda.
Perbezaan utama antara DDR dan DDR2 adalah pada kadar data dan peningkatan latency dua kali ganda. Perubahan ini bertujuan untuk menghasilkan kelajuan maksimum dalam persekitaran pengkomputeran yang semakin pesat, di sisi pemproses dan grafik.
Di samping itu, keperluan untuk voltan DDR2 juga berkurangan. Jika DDR memerlukan voltan yang dicatatkan pada 2.5 Volt, DDR2 hanya memerlukan 1.8 Volt.


14. RAM DDR3
DDR3 RAM mempunyai keperluan kekurangan kuasa sekitar 16% berbanding dengan DDR2. Ini kerana DDR3 sudah menggunakan teknologi 90 nm supaya penggunaan kuasa yang diperlukan hanya 1.5v, kurang berbanding DDR2 1.8v dan DDR 2.5v. Secara teori, kelajuan RAM ini agak menakjubkan. Ia mampu memindahkan data dengan jam efektif 800-1600 MHz. Pada clock 400-800 MHz, jauh lebih tinggi berbanding DDR2 sebanyak 400-1066 MHz (200- 533 MHz) dan DDR sebanyak 200-600 MHz (100-300 MHz). Prototaip DDR3 mempunyai 240 pin.


Semoga tips ini dapat membantu anda. 


Jangan lupa share ya.









Anda ada masalah dengan MacBook/Laptop/Iphone?

Slow

Rosak

Serangan Virus

Jangan risau!! 
Kami boleh bantu menyelesaikan masalah anda.. 

Tak tahu dimana lokasi 

MACNOTE STUDIO UIA Gombak?

Anda boleh hubungi kami melalui:

          ·   WhatsApp Abang M
          ·   Facebook Macnote studio
          ·   Careline 013 531 6110


Lot 1 As-Souq At-Tullab ,Mahallah Ali Ibn Talib, 
International Islamic University Malaysia, 
Universiti Islam Antarabangsa, 
53100 Jalan Gombak, 
Wilayah Persekutuan Kuala Lumpur


Google Maps : Macnote Mobile
E-mail  : macbookstation@gmail.com


Waktu Operasi : Isnin - Ahad (10 a.m. - 9 p.m.) Setiap Hari



Anda boleh datang terus ke MACNOTE di UIA Gombak:

1. KAMI DI GOMBAK ( DALAM UIA GOMBAK)

- 15 MINIT DARI KEPONG DAN SELAYANG

- 25 MINIT DARI BANGSAR DAN AMPANG 

- 30 MINIT DARI SETAPAK DAN SENTUL

-40 MINIT DARI PUCHONG DAMANSARA DAN CHERAS